Paměti, přehled

Kapacita
Kapacita paměťového modulu se udává v MB nebo GB.

Organizace paměti
Paměť může být organizovaná po osmi(low density) nebo po čtyřech(high density) bitech, například 64X8 nebo 128x4. Označení density je zavádějící a různí výrobci si ho vykládají odlišně, ani pod ním často neuvádějí shodné informace. Toto označení by mělo specifikovat, kolik bitů je uloženo v paměťové buňce.

Single sided/Dual Sided paměti
Počet chipů je pro non-ECC paměti dělitelný čtyřmi/osmi, pro ECC paměti dělitelný devíti. Čipy mohou být na jedné (Single Sided) nebo na obou stranách (Dual Sided) paměťového modulu. Označení není přesně dodržováno a nemá vztah k interní organizaci paměti, ale paměť by měla umožňovat přístup k datům na obou stranách paměťového čipu nezávisle.

Počet "ranků"
Jakýkoliv modul může mít 1,2,4 ranky, ale pouze 1 rank může být v danou dobu aktivní. To znamená, že řadič paměti musí mezi jednotlivými ranky přepínat. Pokud je paměť organizovaná po x4 bitech a je single-side, řadič musí k datům přistupovat nadvakrát (dual rank). Pokud je Dual-Sided, řadič může přistoupit k datům najednou (single rank).

Časování
Časování paměťovch modulůje udáváno čtveřicí nebo pěticí bezrozměrných čísel. Tyto čísla jsou zapsána v následujícím pořadí a je podle nich možné spočítat rychlost paměti. Pro každou hodnotu stačí vynásobit délku hodinového cyklu (převrácená hodnota frekvence) počtem potřebných cyklů.
CAS Latency
(CL)
Doba mezi časem, kdy řadič paměti oznámí požadavek na data a časem, kdy jsou data připravená na sběrnici. Nazývané i jako vybavovací doba.
Row Address to Column Address Delay
(TRCD)
Počet hodinových cyklů mezi otevřením řádku paměti a přístupem k první buňce.
Row Precharge
(TRP)
Počet hodinových cyklů, které musí uplynout mezi obnovovacím signálem a otevřením dalšího řádku.
ROW Active Time
(TRAS)
Počet hodinových cyklů, který je vyžadován mezi aktivací banky a obnovovacím signálem. Obecně se jedná o součet všech tří předchozích časů.
Write Recovery Time
(TWR)
Počet hodinových cyklů, které musí uplynout mezi zápisem a obnovou buňky. Zhruba platí TRAS=TRP+TWR
Časování paměti dokáže určit jaký je maximální počet operací v paměti za vteřinu, něco jako IO/s u disků. Porovnáním těchto hodnot s maximální propustností paměti (MT/s) je možné dojít k realistickým hodnotám výkonnosti paměťového subsytému.

Error Correction Code
ECC zajišťuje ochranu proti náhodným chybám v paměti. Nejčastěji se používá Hammingův kód, který je schopen podle množství paritních bitů detekovat a opravit určité množství chyb. Při použití kódu 15+5 (20 bitů), je kód schopen detekovat 2 a opravit jednu chybu. ECC paměti dnes nejčastěji používají z důvodů organizace kód 64+8. Detailnější popis lze nalézt na wikipedii.

Buffered / registered paměti
Unbuffered
Registered memory
Fully Buffered

Přehled pamětí
TypVnější časování
MHz
Čtení dat
MHz
Vybavovací doba
ns
NázevTeoretický výkon
MT/s
Napětí
V
DDR-20010020010,0PC-160016002,5
DDR-266133266 7,5PC-210021002,5
DDR-333166300 6,0PC-270027002,5
DDR-400200400 5,0PC-320032002,5
DDR2-40020040010,0PC2-320032001,9
DDR2-533266533 7,5PC2-4200
PC2-4300
42661,9
DDR2-667333667 6,0PC2-5300
PC2-5400
53331,9
DDR2-800400800 5,0PC2-640064001,9
DDR2-100050010003,75PC2-800080001,9
DDR2-10665331066 2,8PC2-8500
PC2-8600
85331,9
DDR2-120060012002,3PC2-960096001,9
DDR3-80040080010,0PC3-640064001,5
DDR3-10665331066 7,5PC3-850085001,5
DDR3-13336671333 6,0PC3-10600106001,5
DDR3-16008001600 5,0PC3-12800128001,5
DDR3-2000100020003,75PC3-16000160001,5
DDR4-??????1,2
MT/s udává maximální počet přesunů dat za vteřinu. Protože se z paměti standardně načítá 32bitů(ECC 36) u pamětí x4 nebo 64bitů(ECC 72) v jednom hodinovém cyklu, záleží v první řadě na organizaci paměti (single/dual-rank), dále pak na na použití jedno/dvoj/čtyřkanálových řadičů paměti. Výsledný datový tok je vynásobením těchto hodnot, paritní bity se nepočítají.

Typy pamětí a jejich použití (obecné, převzato z Wikipedie)
TypPoužití
72-pin SO-DIMM FPM DRAM
EDO DRAM
(odlišné od 72-pin SIMM)
100-pin DIMMprinter SDRAM
144-pin SO-DIMMSDR SDRAM
168-pin DIMMSDR SDRAM
FPM/EDO DRAM
172-pin MicroDIMMDDR SDRAM
184-pin DIMMDDR SDRAM
200-pin SO-DIMMDDR SDRAM
DDR2 SDRAM
204-pin SO-DIMMDDR3 SDRAM
214-pin MicroDIMMDDR2 SDRAM
240-pin DIMMDDR2 SDRAM
DDR3 SDRAM
FB-DIMM DRAM

Powered by Drupal - Design by artinet